王硕培 /   高级工程师
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  • 个人简介

    高级工程师，中国科学院东莞材料所电子信息材料与器件研究部科研骨干 。2019年获中国科学院物理研究所博士学位，松山湖材料实验室博士后。主要从事晶圆级二维半导体材料的可控制备、相关设备的研发：发展并扩展了在蓝宝石衬底上外延生长单层的二硒化钼连续薄膜的方法；参与研发了八英寸CVD系统，应用于大面积薄膜的制备。主持国家自然科学基金项目、广东省基础与应用基础研究基金等项目。授权发明专利 3项。

  • 研究方向

    主要从事晶圆级二维半导体材料的可控制备、相关设备的研发。

  • 承担科研项目情况

    1、晶圆级二维材料可控制备及范德华异质结研究，广东省基础与应用基础研究基金项目，10.00万元，2020.01–2022.12，主持；

    2、晶圆级二维半导体WSe2取向外延生长与低阻界面研究，国家自然科学基金青年科学基金项目(C类)，30.00万元，2026.01–2028.12，主持；

    3、面向新一代微纳电子器件的二维材料设计、制备与物态调控，国家重点研发计划， 2800.00万元，2022.12–2027.11，参与。

  • 代表论著
  • 获奖及荣誉