梅增霞 /   研究员
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  • 个人简介

    研究员,博士生导师,中国科学院东莞材料所电子信息材料与器件研究部氧化物半导体光电信息材料与器件团队负责人。2005年获中国科学院物理研究所凝聚态物理学博士学位。广东省材料研究学会常务理事、广东省及东莞市女职工创新工作室领衔人。长期从事宽禁带氧化物半导体材料及器件研究:独创了多种衬底上高质量单一极性ZnO及MgZnO单晶薄膜外延技术,并成功实现了多种功能的单色、双色及多色紫外探测器;首次利用同位素示踪技术揭示了氧化物半导体中的氧空位点缺陷为浅施主,并证明它是氧化物n型导电的主要来源;率先开展了非晶Ga2O3材料的缺陷调控和光电器件应用研究,验证了该材料在硅基工艺兼容的深紫外及X射线图像传感等领域的应用前景。先后主持国家自然科学基金项目等10余项,近五年以通讯作者身份发表了包括Nat. Commun. (Feature Article) 、Adv. Funct. Mater.、Adv. Sci.等在内的高水平SCI论文40余篇,申请国家发明专利40余项,获授权国家发明专利22项、PCT国际发明专利2项。

  • 研究方向

    主要从事宽禁带氧化物半导体材料的可控制备和器件应用研究。


  • 承担科研项目情况

    1、非晶氧化镓能带/缺陷工程及多色光电突触应用研究,国家自然科学基金面上项目,54.00万元,2026.01–2029.12,主持;

    2、非晶氧化镓PPC光电协同调控研究及其在低能耗光电突触中的应用,国家自然科学基金面上项目,62.00万元,2022.01–2025.12,主持;

    3、日盲紫外探测核心材料及器件,广东省高价值专利培育布局中心建设项目,30.00万元,2023.01–2023.12,主持;

    4、氧化物柔性电子学与微纳电源系统,国家自然科学基金面上项目,63.00万元,2019.01–2022.12,主持;

    5、同位素示踪法研究氧化物本征点缺陷的能量学,国家自然科学基金面上项目,70.00万元,2017.01–2020.12,主持。


  • 代表论著
  • 获奖及荣誉